實(shí)驗(yàn)設(shè)備廠家訊：太陽(yáng)能教學(xué)實(shí)驗(yàn)臺(tái)設(shè)備中關(guān)于硅材料檢測(cè)測(cè)試平臺(tái)文章由20年優(yōu)質(zhì)實(shí)驗(yàn)臺(tái)通風(fēng)櫥柜廠家為您提供，更過(guò)太陽(yáng)能教學(xué)實(shí)驗(yàn)臺(tái)設(shè)備中關(guān)于硅材料檢測(cè)測(cè)試平臺(tái)相關(guān)信息請(qǐng)垂詢我們。

在我們的太陽(yáng)能教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)中，有專門測(cè)試硅材料的測(cè)試平臺(tái)。可用于硅材料檢測(cè)的一些實(shí)訓(xùn)項(xiàng)目，也可用于硅材料技術(shù)、光伏材料加工及應(yīng)用技術(shù)的一些專業(yè)。該太陽(yáng)能教學(xué)實(shí)驗(yàn)臺(tái)設(shè)計(jì)精確，可以根據(jù)常用的測(cè)試項(xiàng)目測(cè)試一些硅片或相關(guān)產(chǎn)品的電學(xué)性能。該實(shí)訓(xùn)平臺(tái)可進(jìn)行的實(shí)訓(xùn)項(xiàng)目有:

1，電導(dǎo)率測(cè)試:

太陽(yáng)能教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)進(jìn)行電導(dǎo)率測(cè)試的原理是:半導(dǎo)體與冷熱探針接觸后，由于載流子的熱運(yùn)動(dòng)與溫度有關(guān)，熱區(qū)載流子的熱運(yùn)動(dòng)速度快，冷區(qū)載流子的熱運(yùn)動(dòng)速度慢，因此在冷熱端形成空穴或自由電子的濃度差，從而產(chǎn)生

2。用四探針?lè)y(cè)試硅單晶電阻率:

4探針?lè)ㄊ怯盟膫€(gè)針距約為1毫米的探針同時(shí)壓在硅單晶樣品的平面上，用恒流源向外部的兩個(gè)探針施加電流，然后用電位計(jì)測(cè)量中間兩個(gè)探針上的壓降，然后根據(jù)推導(dǎo)出的簡(jiǎn)化公式，四個(gè)探針以等間距排列在同一條直線上，此時(shí)探針系數(shù)為常數(shù)

在實(shí)際測(cè)量工作中，為了計(jì)算方便，經(jīng)常使電流I等于探頭系數(shù)C的值，即I=C，因此ρ；=V23時(shí)，探針2和3之間測(cè)得的電勢(shì)差值等于樣品的電阻率

3和少數(shù)載流子壽命測(cè)試:

太陽(yáng)能教學(xué)實(shí)驗(yàn)臺(tái)采用電脈沖和光脈沖方法從半導(dǎo)體中激發(fā)不平衡載流子，調(diào)節(jié)半導(dǎo)體的體電阻，電導(dǎo)率增加，樣品電阻減小，因此流過(guò)樣品的高頻電流幅度增大。通過(guò)測(cè)量體電阻或串聯(lián)電阻兩端電壓的變化規(guī)律，觀察半導(dǎo)體材料中不平衡少數(shù)載流子的衰減規(guī)律，從而測(cè)量其壽命。